据韩国电子新闻报导，三星电子（Samsung Electronics）1990年代受到专利诉讼、国际货币基金组织（IMF）危机等，1999年决定抛售工厂并撤守电力芯片事业，历经12年，三星又再度着手进行该事业。

从数年前开始，以三星电子综合技术院为中心，已展开电力芯片相关研究，三星更将在2011年内架构专门研究中心，着手开发具体商用化技术。三星每年呈现爆发性成长，重新进入电力芯片市场，除多元化以存储器为主的半导体事业外，另一方面则是计划培育并发展集团新子事业。

据三星表示，三星综合技术院将于2011年内设立电力装置中心（Power Device Center），已进行电力芯片相关新技术研究及开发商用化技术。近来三星综合技术院内部已成立特别小组筹建研究中心，而该特别小组也将会探讨未来在技术开发方向、市场性、确保人力方案，以及与三星集团企业进行连结等相关方案。

三星相关人员表示，电力装置中心将集中研究绝缘栅双极型晶体管（IGBT），并行研究氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）等新素材。氮化镓和碳化硅等为海外电力芯片业者争相确保技术且竞争激烈的领域，若三星能率先开发出相关技术，将能迅速在该领域确保其竞争力。

氮化镓可取代矽，大幅缩减耗电量，原料价格近来已下跌，商用化的可能性变高。三星综合技术院也投入电力芯片业界龙头英飞凌（Infineon）的研究企画，并与三星康宁精密材料（Samsung Corning Precision Materials）共同开发氮化镓原创技术。此外，更以开发采用氮化镓的电力装置为研究目的，向美国半导体设备业者Veeco购买有机金属化学气相沉积（MOCVD）机台。

三星除氮化镓外，也正在开发使用碳化硅且可取代矽基板的技术，期望能应用在高电压、大容量次世代电力芯片开发上。

三星1999年将电力芯片事业抛售给美商快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor），12年后又计划再度展开电力芯片事业，是期望继存储器、系统芯片外，在培育新的集团子事业。尤其太阳能、风力、智能电网（Smart Grid）、电动车等新的绿能产业迅速成长，电力芯片的需求估计也将会有成长，而外电指出，未来电力芯片产能将会有相当大的比重运用在三星集团的能源、汽车、家电领域。

根据日本矢野经济研究所（YRI）统计，全球电力芯片市场在2010年约为141亿美元、2011年将达到152亿美元规模等，至2015年前将可望维持年平均11.5％高成长率。即使电力芯片市场快速成长，由于确保新技术较困难，因此市场竞争相对于存储器业界较不激烈。